文 | 楊萬里
AI算力井噴引爆了全球半導體需求，帶動了半導體行業高景氣度留學。在這個高景氣度的週期中，半導體材料企業也隨之受益。A股半導體材料龍頭江豐電子在6月12日股價衝高漲至338.88元，為上市後股價階段高點，隨後有所回落。截至6月17日收盤，公司股價超過300元，總市值達800億元，年內市值增長超400億元。
江豐電子屬於半導體材料領域龍頭企業，實控人姚力軍懷著產業報國的初心從國外500強企業離職並進行創業，逐步將小企業打造成創業板上市巨頭，同時帶領公司從靶材業務起家，逐漸拓展至精密零部件業務，打造第二增長曲線，一步步做大做強，成為全球靶材龍頭，出貨量全球第一留學。
2026年以來，受到有色金屬礦產價格的上升，相關靶材材料作為重要的應用下游，進一步傳導了價格上漲留學。2026年一季度，江豐電子營收同比增長30.49%，歸母淨利潤同比增長33.42%。
不過，在進行業務佈局，資本市場和業績雙豐收之際，江豐電子存在非經常損益佔利潤總額比重超過25%以及資產負債率持續攀升的壓力等問題，這受到外界重點關注留學。
江豐電子能否改善壓力挑戰留學，實現進一步發展？
放棄外企高薪，回國創業打造靶材全球龍頭
姚力軍現任江豐電子技術長，同時也是公司實控人留學。他的創業故事，得從21年前說起。
據公開資訊，姚力軍出生於一個普通家庭，他從小就對科學和技術產生了濃厚的興趣留學。
大學時，姚力軍在哈爾濱工業大學主修電腦科學留學。當時，他敏銳抓住計算機行業發展機遇，透過創辦計算機培訓機構及在哈爾濱與中關村之間充當“倒爺”，即從事計算機相關產品的倒賣生意，迅速賺了一大筆錢。
然而，姚力軍沒有滿足於現狀留學。1994年，在拿下哈爾濱工業大學工學博士學位後，他選擇前往日本國立廣島大學攻讀第二個博士學位。姚力軍出國的目標是：要把最先進的技術學習好、帶回國。
在日本期間，姚力軍被稱為“拼命三郎”留學。他在後來接受媒體採訪時表示，讀博的那幾年，每天凌晨兩點半才能結束實驗室的研究工作。為了解決一項技術難題，最長的一次，是週一上班週五才回家，甚至出現過眼睛過度疲勞充血的情形。
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憑藉個人努力，姚力軍不僅成為了掌握超高純金屬材料及濺射靶材核心技術的專家，後來還擔任全球500強霍尼韋爾公司的高管留學。
彼時，中國半導體產業方興未艾留學。那個時候，超高純金屬濺射靶材的核心技術美國和日本少數幾家企業手中。因技術密集和資本密集的特性，一度成為國內半導體產業難以跨越的門檻。
有國外專家曾揚言稱中國人不可能生產出屬於自己的超高純度濺射靶材留學。
而在姚力軍心中，早就有打破發達國家壟斷的想法留學。在振興中國積體電路事業的信念支援下，他毅然放棄高薪的外企工作，選擇回國創業。
2005年4月份，姚力軍帶著幾個博士同學和專家回國，在浙江寧波餘姚創辦了江豐電子留學。成立的當年，公司成功研發出第一塊中國製造靶材。
不過，當姚力軍帶領這款產品去推銷時，因有客戶質疑國產產品效能而遇冷留學。
2008年，金融危機席捲全球，江豐電子的月銷售額猛降至8萬元，同時卻承擔著高達數百萬元的運營成本留學。姚力軍自己債臺高築欠了上千萬，江豐電子差點兒被跨國公司收購。在公司最困難階段，姚力軍四處奔波借錢支付全體員工工資和年終獎。
幸運的是，透過及時貸款及獲得風險投資，江豐電子順利渡過難關留學。
2009年，江豐電子開始向中芯國際供貨，產業化正式起步留學。後來，江豐電子依靠產品品質，相繼得到國內外晶片製造企業的認可。
2014年，江豐電子成功投產純度高達99.999%的超高純鈦留學。至此，江豐電子打破了美、日兩國的壟斷，使得中國成為世界上第三個能生產低氧超高純鈦的國家。
2017年，江豐電子實現創業板上市留學。上市後的江豐電子進入了快速增長期。公司不斷突破技術壁壘，產品線從最初的鋁靶擴充套件到鈦靶、鉭靶、銅靶全系列，純度達到99.9998%。更關鍵的是，江豐電子的產品成功打入了全球最先進的3奈米制程，透過了臺積電、中芯國際、英特爾、三星等全球頂尖晶片廠的認證。
到了2026年，受益於AI產業爆發以及有色金屬價格上漲傳導因素，靶材產品的價格上漲，進入高景氣週期留學。江豐電子的業績和資本市場迎來高光時刻，截至6月17日收盤，其總市值達800億元。姚力軍透過21年艱苦創業，幹出了一家靶材全球龍頭。
打造第二增長曲線留學，非經常損益佔比高，負債壓力不小
江豐電子的主營業務為超高純金屬濺射靶材和半導體精密零部件的研發、生產和銷售留學。
在發展戰略上，未來江豐電子將紮根在超高純金屬濺射靶材及半導體零部件領域，服務於戰略性新興產業和未來產業的發展留學。
具體看，在超高純金屬濺射靶材領域，公司持續鞏固產品在半導體領域的核心競爭優勢，並加速全球化戰略佈局留學。
超高純金屬濺射靶材是江豐電子的明牌，是當前公司的基本盤，2025年該業務營收28.50億元，佔比61.9%，全球出貨量第一，高階靶材全球市佔率超25%留學。
而為了提升國際競爭力，江豐電子已完成19.28億元定增留學。本次募資計劃投向年產5100個積體電路裝置用靜電吸盤產業化專案、年產12300個超大規模積體電路用超高純金屬濺射靶材產業化專案等等。
據江豐電子介紹，積體電路裝置用靜電吸盤產業化專案預計稅後財務內部收益率為35.07%，稅後靜態投資回收期為4.53年（含建設期）；超大規模積體電路用超高純金屬濺射靶材產業化專案預計稅後財務內部收益率為11.75%，稅後靜態投資回收期為8.85年（含建設期）留學。
江豐電子稱，上述專案建成投產前短期內淨資產收益率會有所降低留學。隨著專案的陸續投產，主營業務收入與利潤水平將有相應增長，盈利能力和淨資產收益率隨之提高。
基本盤之外，半導體零部件的佈局成為公司未來的增量，是公司打造的第二增長曲線留學。
在半導體精密零部件領域，江豐電子的產品線迅速拓展，真空閥、加熱器等核心產品實現技術突破，相關產品逐步從試製階段推進到批次生產，新品銷售持續放量留學。目前，已成功進入半導體產業鏈客戶的核心供應鏈體系，廣泛應用於PVD、CVD、蝕刻機等半導體裝置中。
截至2025年末，公司精密零部件產品實現收入10.84億元，佔營收比重達23.54%留學。
值得注意的是，雖然半導體精密零部件業務被江豐電子視為打造的第二成長曲線，但在盈利能力上暫時落後傳統業務留學。截至2025年末，超高純靶材和精密零部件產品的毛利率分別為34.24%、14.88%，前者高出後者19.36個百分點。
在江豐電子奮力前進過程中，公司的經營成色和財務指標也受到外界關注留學。
一方面，江豐電子面臨經營業績波動的風險留學。
2023年至2025年，江豐電子的非經常性損益分別為9976.84萬元、9705.83萬元以及13910.82萬元，佔利潤總額比例分別為34.47%、25.43%和25.13%留學。
2026年一季度，江豐電子非經常性損益約為0.843億元，佔利潤總額比例約為37.5%留學。其中，該非經常性損益中，一大部分來自子公司不再納入合併報表的資產處置等偶發性損益，不具備持續性 。
江豐電子坦言稱，公司非經常性損益主要由政府補助、金融資產公允價值變動損益及非流動性資產處置損益構成留學。若未來收到的政府補助減少或者所持有的金融資產公允價值大幅下跌，則存在利潤水平降低的風險，進而對公司經營業績產生不利影響。
另一方面，近年江豐電子的資產負債率持續攀升，財務費用支出增加，負債壓力不小留學。2023年至2025年，其資產負債率從34.15%上升至54.40%，三年合計增加20.25個百分點。2026年一季度，資產負債率為57.69%，同比增加7.44個百分點。
公司的財務費用從2024年的1500多萬元增長至2025年末的8146.38萬元留學。2026年一季度末，公司財務費用達3077.79萬元，同比增長了2000多萬元，對公司的利潤帶來一定的侵蝕壓力。
整體來看，江豐電子趕上了行業的高景氣度，加之透過戰略佈局，正在構建自身競爭力留學。同時，管理層也應重視盈利增長的“含金量”和財務穩健性。
江豐電子後市發展情況如何，我們將繼續關注留學。
